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SH8KA2TB1  与  SH8K10SGZETB  区别

型号 SH8KA2TB1 SH8K10SGZETB
唯样编号 A-SH8KA2TB1 A-SH8K10SGZETB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 30V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8KA2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2W(Ta) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 24mOhm@7A,10V,19.6mOhm@8.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
封装/外壳 SOP8 8-SOIC
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
工作温度 150°C(TJ) 150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 7A(Ta),8.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 8A,10V -
栅极电荷Qg - 16.8nC,17.8nC@5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 8A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SH8KA2TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOP8

暂无价格 0 当前型号
SH8K10SGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
SH8K13GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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SH8K13GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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