SI1553CDL-T1-GE3 与 DMC2004DWK-7 区别
| 型号 | SI1553CDL-T1-GE3 | DMC2004DWK-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-SI1553CDL-T1-GE3 | A36-DMC2004DWK-7 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | N / P-Channel 20 V 0.39/0.85 O Power Mosfet - SOT-363 (SC-70-6) | Dual N & P-Channel 20 V 550 mOhm Enhancement Mode Transistor SOT-363 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SC-70 | SOT-363 | ||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.54A,0.43A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 550mΩ@540mA,4.5V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 150pF @ 16V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 250mW | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 28,098 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SC-70 N+P-Channel |
¥1.0277
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMC2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 N+P-Channel 20V 0.54A,0.43A |
¥0.5915
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28,098 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDWQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 和 P 沟道互补型 SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.066A (Ta), 845mA (Ta) 车规 |
¥0.6365
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5,894 | 对比 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
¥0.6149
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209 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N+P-Channel 0.28W 150°C 0.75V,8V 20V 0.725A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |