SI1967DH-T1-GE3 与 NTJD4152PT1G 区别
| 型号 | SI1967DH-T1-GE3 | NTJD4152PT1G | ||||
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| 唯样编号 | A-SI1967DH-T1-GE3 | A36-NTJD4152PT1G | ||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W | 272mW | ||||
| 宽度 | 1.25 mm | - | ||||
| 零件号别名 | SI1903DL-T1-GE3 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SC-70-6 | SOT-363 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 1.3A | -0.88A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||
| 长度 | 2.1 mm | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 110pF @ 10V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4nC @ 8V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 490mΩ | 260mΩ@880mA,4.5V | ||||
| 高度 | 1 mm | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 1,408 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
￥0.8196
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1,408 | 对比 | ||||||
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SSM6P36TU,LF(T | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FDG6308P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2P-Channel 400mΩ@600mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 0.6A 2 个 P 沟道(双) 逻辑电平门 20V 600mA 400 毫欧 @ 600mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SC-70-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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