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SI2304DDS-T1-GE3  与  MMBF0201NLT1G  区别

型号 SI2304DDS-T1-GE3 MMBF0201NLT1G
唯样编号 A-SI2304DDS-T1-GE3 A3-MMBF0201NLT1G-1
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 表面贴装型 N 通道 20 V 300mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
零件号别名 SI2304DDS-GE3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ -
上升时间 12ns -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.7W -
Qg-栅极电荷 6.7nC -
栅极电压Vgs 1.2V -
典型关闭延迟时间 10ns -
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 3.6A -
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 5ns -
典型接通延迟时间 5ns -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2304DDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

暂无价格 0 当前型号
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 15,000 对比
FDV303N ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4186 

阶梯数 价格
120: ¥0.4186
200: ¥0.2704
3,000: ¥0.24
7,131 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.397 

阶梯数 价格
40: ¥1.397
100: ¥1.067
750: ¥0.8888
1,500: ¥0.8085
3,000: ¥0.7491
5,979 对比
BSH103,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

暂无价格 3,270 对比
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比

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