首页 > 商品目录 > > > > SI2307CDS-T1-GE3代替型号比较

SI2307CDS-T1-GE3  与  DMP3130LQ-7  区别

型号 SI2307CDS-T1-GE3 DMP3130LQ-7
唯样编号 A-SI2307CDS-T1-GE3 A-DMP3130LQ-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 880mΩ 150mΩ
上升时间 - 6.5ns
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta),1.8W(Tc) 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs ±20V 1.3V
典型关闭延迟时间 - 27.8ns
正向跨导 - 最小值 - 8S
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 3.5A
系列 SI 汽车级,AEC-Q101
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V 864pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,10V
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 4.6ns
库存与单价
库存 180 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta),1.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 2.7A 880mΩ

暂无价格 180 当前型号
PJA3405_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

N-Channel SOT-23 ±20V 73mΩ@3.6A,10V 30V 3.6A -55°C~150°C 1.25W

¥0.8097 

阶梯数 价格
1: ¥0.8097
100: ¥0.5954
1,000: ¥0.441
1,500: ¥0.3738
3,000: ¥0.325
958 对比
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel

¥0.3286 

阶梯数 价格
1: ¥0.3286
3,000: ¥0.285
80 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规

暂无价格 0 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售