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SI2307CDS-T1-GE3  与  AO3421E  区别

型号 SI2307CDS-T1-GE3 AO3421E
唯样编号 A-SI2307CDS-T1-GE3 A36-AO3421E
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 27.5
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 160mΩ
Qgd(nC) - 1.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 SOT-23-3 SOT23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.7A -3A
Ciss(pF) - 215
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
导通电阻Rds(On) 880mΩ 95mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9
Td(off)(ns) - 13.5
功率耗散Pd 1.1W(Ta),1.8W(Tc) 1.4W
漏源极电压Vds 30V -30V
Qrr(nC) - 16
VGS(th) - -2.5
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 46.5
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 0 3,318
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7657
200+ :  ¥0.5278
1,500+ :  ¥0.481
3,000+ :  ¥0.4485
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta),1.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 2.7A 880mΩ

暂无价格 0 当前型号
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel

暂无价格 51,080 对比
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.7657 

阶梯数 价格
70: ¥0.7657
200: ¥0.5278
1,500: ¥0.481
3,000: ¥0.4485
3,318 对比
PJA3405_R1_00001 Panjit  数据手册 通用MOSFET

N-Channel SOT-23 ±20V 73mΩ@3.6A,10V 30V 3.6A -55°C~150°C 1.25W

¥0.5551 

阶梯数 价格
100: ¥0.5551
200: ¥0.3588
1,500: ¥0.312
3,000: ¥0.2756
3,212 对比
ZXMP3A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 625mW(Ta) 210mΩ@1.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 1.6A

暂无价格 3,000 对比
DMP3130L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A

暂无价格 3,000 对比

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