SI3443DDV-T1-GE3 与 FDC604P 区别
| 型号 | SI3443DDV-T1-GE3 | FDC604P | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SI3443DDV-T1-GE3 | A36-FDC604P | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Si3443DDV Series 20 V 0.047 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - TSOP-6 | P-Channel 20 V 33 mohm 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47mΩ@4.5A,4.5V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP | SuperSOT-6 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | - | ||||||||||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 970pF @ 10V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 8V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 20 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3443DDV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 47mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOP P-Channel 20V 4A |
暂无价格 | 20 | 当前型号 | ||||||||||||
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FDC604P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDC638APZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDC604P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.562
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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FDC640P(ROHS) | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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PMN48XP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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