SI3932DV-T1-GE3 与 QS6K1TR 区别
| 型号 | SI3932DV-T1-GE3 | QS6K1TR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SI3932DV-T1-GE3 | A32-QS6K1TR-6 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Si3932DV Series Dual N-Channel 30 V 58 mOhm 1.4 W SMT Power Mosfet - TSOP-6 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | TSMT | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.4W | 1.25W | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.7A | 1A | ||||||||||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | 1.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | 77pF @ 10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V | 2.4nC @ 4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 47mΩ | 238mΩ@1A,4.5V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 5,990 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 30V 3.7A 47mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.7854
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9,430 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥14.2129
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5,990 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥4.6927
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4,458 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥0.8591
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.0698
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797 | 对比 |
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