SI4062DY-T1-GE3 与 AO4268 区别
| 型号 | SI4062DY-T1-GE3 | AO4268 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4062DY-T1-GE3 | A36-AO4268 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 65 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.2mΩ | 4.8mΩ@19A,10V | ||||||||
| 上升时间 | 6ns | - | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 6.5mΩ | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 40nC | - | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 6.5 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.4V | ±20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 80S | - | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 6 | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 32.1A | 19A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 2500 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 下降时间 | 8ns | - | ||||||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 22 Ohms | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | 3.1W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 80 | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.3 | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 34ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | SI4 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3175pF @ 30V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 16ns | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 670 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 21 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 40 | 2,990 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4062DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
32.1A 7.8W 4.2mΩ 60V 1.4V SO-8 -55°C~150°C |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4268 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C |
￥4.037
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2,990 | 对比 | ||||||||||
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AO4268 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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AO4268 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V ±20V 19A 3.1W 4.8mΩ@19A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS5670 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS5670 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 60V 10A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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