SI4386DY-T1-GE3 与 AO4430 区别
| 型号 | SI4386DY-T1-GE3 | AO4430 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI4386DY-T1-GE3 | A3-AO4430 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 355 |
| Td(off)(ns) | - | 51.5 |
| 功率耗散Pd | 3.1W | 3W |
| ESD Diode | - | No |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 7.5mΩ |
| Qrr(nC) | - | 22 Ohms |
| VGS(th) | - | 2.5 |
| Qgd(nC) | - | 15 |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 12 |
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 18A |
| 系列 | SI4 | - |
| Ciss(pF) | - | 6060 |
| 电压 | 30V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| 导通电阻Rds(On) | - | 5.5mΩ@10V |
| Trr(ns) | - | 33.5 |
| Coss(pF) | - | 638 |
| Qg*(nC) | - | 48 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4386DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 3.1W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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AO4430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AO4430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7805ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 6.8mΩ@16A,10V N-Channel 30V 16A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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