SI4425BDY-T1-E3 与 RRH100P03GZETB 区别
| 型号 | SI4425BDY-T1-E3 | RRH100P03GZETB | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-SI4425BDY-T1-E3 | A33-RRH100P03GZETB | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | SI4425BDY Series 30 V 0.012 Ohm 100 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.5W(Ta) | 650mW(Ta) | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.8A | 10A(Ta) | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4V,10V | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 12mΩ | 12.6mΩ@10A,10V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3600pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 68nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,050 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4425BDY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 8.8A(Ta) ±20V 1.5W(Ta) 12m Ohms@11.4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 30V 8.8A 12mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥6.7697
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOSP21307 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -14A 3.1W 11.5mΩ@10V -55°C~150°C |
￥1.548
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2,449 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
￥8.2888
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2,050 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||||||||
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RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 650mW(Ta) 12.6mΩ@10A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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