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SI4850EY-T1-E3  与  RS6L090BGTB1  区别

型号 SI4850EY-T1-E3 RS6L090BGTB1
唯样编号 A-SI4850EY-T1-E3 A3-RS6L090BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 6A(Ta) 90A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 22 mOhms @ 6A,10V 4.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta) 73W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
2,500+ :  ¥2.0793
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4850EY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

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2,500: ¥2.0793
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暂无价格 100 对比
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HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
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阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥17.6628 

阶梯数 价格
1: ¥17.6628
100: ¥8.8314
97 对比

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