SI7172DP-T1-GE3 与 IRFH5020TRPBF 区别
| 型号 | SI7172DP-T1-GE3 | IRFH5020TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7172DP-T1-GE3 | A-IRFH5020TRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15 mm | - |
| 零件号别名 | SI7172DP-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ | 55mΩ@7.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.4W(Ta),96W(Tc) | 3.6W(Ta),8.3W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-PQFN(5x6) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.9A | 5.1A |
| 系列 | SI | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 150µA |
| 长度 | 6.15 mm | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2250pF @ 100V | 2290pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 77nC @ 10V | 54nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2290pF @ 100V |
| 高度 | 1.04 mm | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 54nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7172DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),96W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 200V 5.9A 70mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFH5020TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),8.3W(Tc) 55mΩ@7.5A,10V N-Channel 200V 5.1A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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