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SI7460DP-T1-E3  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 SI7460DP-T1-E3 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-SI7460DP-T1-E3 A-RS6L120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.0096 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.6mΩ 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.9W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 18A 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥17.6628
100+ :  ¥8.8314
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7460DP-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

SOIC-8

暂无价格 0 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.884 

阶梯数 价格
1: ¥12.884
100: ¥6.442
99 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥17.6628 

阶梯数 价格
1: ¥17.6628
100: ¥8.8314
97 对比

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