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SI7465DP-T1-GE3  与  FDMS6673BZ  区别

型号 SI7465DP-T1-GE3 FDMS6673BZ
唯样编号 A-SI7465DP-T1-GE3 A3-FDMS6673BZ
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 0.08 Ohm 40 nC 1.5 W Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-SO-8 FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 64mΩ 6.8m Ohms@15.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 2.5W(Ta),73W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-PQFN(5x6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 15.2A
系列 TrenchFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5915pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 21,000 30,600
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7465DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

暂无价格 21,000 当前型号
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 30,600 对比
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比

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