SI7617DN-T1-GE3 与 AON7401 区别
| 型号 | SI7617DN-T1-GE3 | AON7401 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7617DN-T1-GE3 | A3-AON7401 | ||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | PMOS | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 295 | ||
| 零件号别名 | SI7617DN-GE3 | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12.3mΩ | 14mΩ@10V | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 17mΩ | ||
| Qgd(nC) | - | 10 | ||
| 栅极电压Vgs | ±25V | 25V | ||
| Td(on)(ns) | - | 11 | ||
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | DFN 3x3 EP | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 35A | -35A | ||
| Ciss(pF) | - | 2060 | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 14 | ||
| Td(off)(ns) | - | 24 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 29W | ||
| Qrr(nC) | - | 35 | ||
| VGS(th) | - | -3 | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 系列 | SI | - | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1800pF @ 15V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 59nC @ 10V | - | ||
| Coss(pF) | - | 370 | ||
| Qg*(nC) | - | 30* | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 130 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI7617DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 30V 35A 12.3mΩ |
暂无价格 | 130 | 当前型号 | ||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
¥2.068
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310 | 对比 | ||||||
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AON7401 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
AON7401 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V |
¥2.3793
|
0 | 对比 | ||||||
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DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 940mW(Ta) 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 9.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |