SI7938DP-T1-GE3 与 NVMFD5852NLT1G 区别
| 型号 | SI7938DP-T1-GE3 | NVMFD5852NLT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SI7938DP-T1-GE3 | A3t-NVMFD5852NLT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3.2W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.8mΩ | 6.9 毫欧 @ 20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 46W | - |
| FET类型 | N-Channel | 逻辑电平门 |
| 封装/外壳 | SOT1205 | 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 60A | 15A |
| 系列 | SI | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2300pF @ 20V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 65nC @ 10V | - |
| 电压 | 40V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1800pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI7938DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N-Channel 40V 60A 5.8mΩ 46W SOT1205 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NVMFD5852NLT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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