SIDR104AEP-T1-RE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SIDR104AEP-T1-RE3 | RS6P100BHTB1 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIDR104AEP-T1-RE3 | A33-RS6P100BHTB1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8DC | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 100A | ||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.9mΩ@90A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104W | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,960 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIDR104AEP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8DC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
|
1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
|
97 | 对比 | ||||||||||||||||||
|
|
RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
