SIHD2N80E-GE3 与 FCD3400N80Z 区别
| 型号 | SIHD2N80E-GE3 | FCD3400N80Z |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIHD2N80E-GE3 | A-FCD3400N80Z |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 62.5W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 800V | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | DPAK(TO-252) | TO-252AA |
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 100V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 315pF | - |
| 导通电阻Rds(On) | 2.75Ω@1A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19.6nC | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHD2N80E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 2.8A(Tc) ±30V 62.5W(Tc) 2.75Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK(TO-252) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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STD2N62K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
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STD2N62K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.504
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57 | 对比 | ||||
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STD2N62K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STD2N62K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FCD3400N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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