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SIHG20N50C-E3  与  STW20NK50Z  区别

型号 SIHG20N50C-E3 STW20NK50Z
唯样编号 A-SIHG20N50C-E3 A-STW20NK50Z
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 SiHG20N50C Series 500 V 20 A 270 mOhm Power MOSFET - TO-247AC MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 270mΩ -
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 250mW -
Qg-栅极电荷 65nC -
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 20A -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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