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SIHG70N60AEF-GE3  与  R6076ENZ1C9  区别

型号 SIHG70N60AEF-GE3 R6076ENZ1C9
唯样编号 A-SIHG70N60AEF-GE3 A33-R6076ENZ1C9
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 通孔-N-通道-600V-60A(Tc)-417W(Tc)-TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 417W(Tc) 120W(Tc)
漏源极电压Vds 600V 600V
栅极电压Vgs(th) 4V @ 250?A -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V -
FET 类型 N-Channel -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
输入电容Ciss 5348pF @ 100V -
连续漏极电流Id 60A(Tc) 76A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
栅极电荷Qg 410nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
导通电阻Rds(On) 41mΩ@35A,10V 42mΩ@44.4A,10V
库存与单价
库存 0 45
工厂交货期 56 - 70天 28 - 35天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥54.2364
10+ :  ¥52.7512
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG70N60AEF-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3 60A(Tc) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@35A,10V 600V 417W(Tc) ±20V

暂无价格 0 当前型号
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥179.0578 

阶梯数 价格
1: ¥179.0578
100: ¥103.4954
450: ¥65.6161
450 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 90 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥54.2364 

阶梯数 价格
3: ¥54.2364
10: ¥52.7512
45 对比
IPW65R041CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 500W(Tc) 41mΩ@33.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247 N-Channel 700V 68.5A

暂无价格 0 对比
IPW60R045CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 600V 60A 40mΩ 20V 431W N-Channel PG-TO247-3

暂无价格 0 对比

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