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SIHP18N50C-E3  与  AOT22N50L  区别

型号 SIHP18N50C-E3 AOT22N50L
唯样编号 A-SIHP18N50C-E3 A-AOT22N50L
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 E Series N-Channel 500 V 0.27 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 225mΩ 260 mΩ @ 11A,10V
上升时间 27ns -
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 223W 417W(Tc)
Qg-栅极电荷 65nC -
栅极电压Vgs 5V ±30V
典型关闭延迟时间 32ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 22A(Tc)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2942pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 76nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 83nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 44ns -
典型接通延迟时间 80ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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