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SIJA54ADP-T1-GE3  与  PSMN2R0-30YLDX  区别

型号 SIJA54ADP-T1-GE3 PSMN2R0-30YLDX
唯样编号 A-SIJA54ADP-T1-GE3 A3t-PSMN2R0-30YLDX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 SOT669
工作温度 - 175°C
连续漏极电流Id - 100A
漏源极电压Vds - 30V
输入电容 - 2969pF
Pd-功率耗散(Max) - 142W
Rds On(max)@Id,Vgs - 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
输出电容 - 1477pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 0 当前型号
PSMN2R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 142W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
PSMN2R0-30YLDX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 142W 175°C 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥25.5084 

阶梯数 价格
6: ¥25.5084
10: ¥16.7213
50: ¥11.5756
100: ¥10.9336
300: ¥10.5024
500: ¥10.4161
1,000: ¥10.349
1,599 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥8.3619 

阶梯数 价格
2,500: ¥8.3619
0 对比

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