SIJA72ADP-T1-GE3 与 RS6G100BGTB1 区别
| 型号 | SIJA72ADP-T1-GE3 | RS6G100BGTB1 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIJA72ADP-T1-GE3 | A32-RS6G100BGTB1 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 4.8W(Ta),56.8W(Tc) | 59W | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 27.9A(Ta),96A(Tc) | 100A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.42 mOhms @ 10A,10V | 3.4mΩ@90A,10V | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.4V @ 250uA | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 40 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIJA72ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
27.9A(Ta),96A(Tc) N-Channel 3.42 mOhms @ 10A,10V 4.8W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 40V |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
PSMN3R0-30YLDX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 3.1mΩ@10V,4mΩ@4.5V 91W 175°C 1.7V 30V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
PSMN3R0-30YLDX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 N-Channel 3.1mΩ@10V,4mΩ@4.5V 91W 175°C 1.7V 30V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥14.3945
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥24.5132
|
2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
|
2,489 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
