SIJH112E-T1-GE3 与 PSMN2R6-100SSF 区别
| 型号 | SIJH112E-T1-GE3 | PSMN2R6-100SSF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIJH112E-T1-GE3 | A3t-PSMN2R6-100SSF |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | - |
| 功率耗散Pd | 3.3W(Ta),333W(Tc) | - |
| 连续漏极电流Id | 23A(Ta),225A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 2.8 mOhms @ 20A,10V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIJH112E-T1-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
23A(Ta),225A(Tc) N-Channel 2.8 mOhms @ 20A,10V 3.3W(Ta),333W(Tc) 8-PowerTDFN -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||
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PSMN2R3-100SSEJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1235 -55°C~175°C(TJ) N 通道 |
￥39.0297
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0 | 对比 | ||||||
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PSMN2R6-100SSF | Nexperia | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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PSMN2R3-100SSEJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1235 -55°C~175°C(TJ) N 通道 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN2R3-100SSEJ | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1235 -55°C~175°C(TJ) N 通道 |
￥23.2732
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0 | 对比 |
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