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SIR180ADP-T1-RE3  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 SIR180ADP-T1-RE3 RS6L120BGTB1
唯样编号 A-SIR180ADP-T1-RE3 A-RS6L120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK SO-8 HSOP8 (Single)
功率耗散Pd - 104W
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120A
漏源极电压Vds - 60V
导通电阻Rds(On) - 2.7mΩ@90A,10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥17.6628
100+ :  ¥8.8314
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR180ADP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK SO-8

暂无价格 0 当前型号
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥13.8244 

阶梯数 价格
100: ¥13.8244
500: ¥12.8268
1,000: ¥11.8292
2,500: ¥9.8339
2,600 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥15.5714 

阶梯数 价格
10: ¥15.5714
50: ¥10.7994
100: ¥10.1957
300: ¥9.8028
311 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

¥17.6628 

阶梯数 价格
1: ¥17.6628
100: ¥8.8314
97 对比

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