SIR184LDP-T1-RE3 与 RS6L120BGTB1 区别
| 型号 | SIR184LDP-T1-RE3 | RS6L120BGTB1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-SIR184LDP-T1-RE3 | A33-RS6L120BGTB1 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT669 | HSOP8 (Single) | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 104W | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 120A | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.7mΩ@90A,10V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 20 | 661 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT669 |
暂无价格 | 20 | 当前型号 | ||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥15.5714
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661 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6461
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204 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥12.884
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99 | 对比 |
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