SIR416DP-T1-GE3 与 RS6G100BGTB1 区别
| 型号 | SIR416DP-T1-GE3 | RS6G100BGTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR416DP-T1-GE3 | A3-RS6G100BGTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 40 V 3.8 mO 90 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8 | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 | HSOP8 (Single) |
| 功率耗散Pd | - | 59W |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 100A |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 3.4mΩ@90A,10V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 160 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR416DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK SO-8 N-Channel |
暂无价格 | 40 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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CSD18532Q5B | TI | 数据手册 | 未分类 |
￥6.941
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2,440 | 对比 | |||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,489 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥15.514
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1,474 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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