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SIR5710DP-T1-RE3  与  RS6R060BHTB1  区别

型号 SIR5710DP-T1-RE3 RS6R060BHTB1
唯样编号 A-SIR5710DP-T1-RE3 A-RS6R060BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
功率耗散Pd - 104W
连续漏极电流Id - 60A
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 150V
导通电阻Rds(On) - 21.8mΩ@60A,10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 40 95
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥18.9871
100+ :  ¥9.4935
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR5710DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 40 当前型号
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥25.8672 

阶梯数 价格
10: ¥25.8672
100: ¥15.2497
500: ¥13.7532
1,000: ¥12.3992
2,500: ¥10.3328
2,500 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥16.6734 

阶梯数 价格
9: ¥16.6734
10: ¥16.1943
30: ¥12.208
50: ¥11.4127
100: ¥10.8186
300: ¥10.4161
500: ¥10.3395
1,000: ¥10.282
1,025 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥18.9871 

阶梯数 价格
1: ¥18.9871
100: ¥9.4935
95 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 90 对比

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