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SIR770DP-T1-GE3  与  STL40DN3LLH5  区别

型号 SIR770DP-T1-GE3 STL40DN3LLH5
唯样编号 A-SIR770DP-T1-GE3 A3-STL40DN3LLH5
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 SiR770DP Series 30 V 0.021 Ohm SMT Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8 MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOIC-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 8A -
系列 TrenchFET® -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.5mΩ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 15V -
Pd-功率耗散(Max) 17.8W -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR770DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

暂无价格 0 当前型号
STL40DN3LLH5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

PowerVDFN-8

暂无价格 3,000 对比
STL40DN3LLH5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

PowerVDFN-8

暂无价格 0 对比

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