SIR872ADP-T1-GE3 与 BSC190N15NS3GATMA1 区别
| 型号 | SIR872ADP-T1-GE3 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIR872ADP-T1-GE3 | A-BSC190N15NS3GATMA1 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SIR872ADP Series N-Channel 150 V 18 mO 22.8 nC SMT MosFet - POWERPAKSO-8 | MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 125W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ | - |
| 上升时间 | 12ns | - |
| Qg-栅极电荷 | 31.3nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2420pF @ 75V |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 30S | - |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | PG-TDSON-8(6x5) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 53.7A | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 31nC @ 10V |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 19 毫欧 @ 50A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7.5V,10V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 8V,10V |
| 下降时间 | 7ns | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 150V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | - |
| 典型关闭延迟时间 | 15ns | - |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 90uA |
| 系列 | SIR | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1286pF @ 75V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 50A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 150V |
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIR872ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 53.7A 104W 18mΩ 150V 2.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
暂无价格 | 999 | 对比 | |||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
￥5.929
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928 | 对比 | |||||||||
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FDMS86200 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) PDFN-8(4.9x5.8) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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BSC190N15NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8(6x5) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFH5015TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.6W(Ta),156W(Tc) 31mΩ@34A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN N-Channel 150V 10A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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