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SIS4604LDN-T1-GE3  与  PXN012-60QLJ  区别

型号 SIS4604LDN-T1-GE3 PXN012-60QLJ
唯样编号 A-SIS4604LDN-T1-GE3 A3t-PXN012-60QLJ
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 MLPAK33
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 42A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.6mΩ@10A,4.5V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 34.7W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIS4604LDN-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® 1212-8

暂无价格 0 当前型号
PXN012-60QLJ Nexperia  数据手册 通用MOSFET

MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A

暂无价格 2,349 对比
PXN012-60QLJ Nexperia  数据手册 通用MOSFET

MLPAK33 N-Channel 17.6mΩ@10A,4.5V 34.7W -55°C~150°C ±20V 60V 42A

暂无价格 0 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

暂无价格 20 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

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