SIS890DN-T1-GE3 与 FDMC86102 区别
| 型号 | SIS890DN-T1-GE3 | FDMC86102 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SIS890DN-T1-GE3 | A3-FDMC86102 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET | N-Channel 100 V 24 mOhm Surface Mount Power Trench® Mosfet - Power 33 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 3.3 mm | - |
| 零件号别名 | SIS890DN-GE3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23.5mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 3V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | PowerPak1212-8 | Power-33 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 30A | - |
| 系列 | SIS | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 802pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 高度 | 1.04 mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 40 | 6,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIS890DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 N-Channel 30A 23.5mΩ 3V |
暂无价格 | 40 | 当前型号 |
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AON7292 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3.3x3.3 EP N-Channel 100V ±20V 23A 28W 24mΩ@9A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDMC86102 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
Power-33 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 |
|
|
FDMC86102 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
Power-33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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