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SN7002WH6327XTSA1  与  2N7002W-7-F  区别

型号 SN7002WH6327XTSA1 2N7002W-7-F
唯样编号 A-SN7002WH6327XTSA1 A3-2N7002W-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 N-Channel 60 V 7.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500mW(Ta) -
宽度 - 1.35mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5Ω
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 45pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 1V
正向跨导 - 最小值 - 80mS
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 115mA
配置 - Single
长度 - 2.2mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 230mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
高度 - 1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 200mW
典型关闭延迟时间 - 11ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 26uA -
系列 - 2N7002
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 230mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SN7002WH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002W H6327_SC-70,SOT-323

暂无价格 0 当前型号
NX7002AKW,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX7002AKW_SOT323

¥0.2966 

阶梯数 价格
10: ¥0.2966
100: ¥0.2197
1,000: ¥0.1703
1,500: ¥0.1396
3,000: ¥0.1235
17,010 对比
2N7002W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323 2.2mm

暂无价格 0 对比
2N7002W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323 2.2mm

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DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

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SN7002WH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002W H6433_

暂无价格 0 对比

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