SP8K31FRATB 与 ZXMN6A11DN8TA 区别
| 型号 | SP8K31FRATB | ZXMN6A11DN8TA | ||||||
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| 唯样编号 | A-SP8K31FRATB | A36-ZXMN6A11DN8TA | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2W | 1.8W | ||||||
| 上升时间 | 14ns | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | 3.7nC | - | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 120mΩ@2.5A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 330pF @ 40V | ||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | - | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | 25ns | - | ||||||
| FET类型 | - | 2N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 5.7nC @ 10V | ||||||
| 封装/外壳 | SOP-8 | 8-SO | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.5A | 2.5A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 通道数量 | 2Channel | - | ||||||
| 配置 | Dual | - | ||||||
| 下降时间 | 7ns | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 7ns | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 85mΩ | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 680 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SP8K31FRATB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.5A 2W 85mΩ 60V 1V SOP-8 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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ZXMN6A11DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 2.5A |
￥4.296
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680 | 对比 | ||||||||
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ZXMN6A11DN8TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 1.8W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 2.5A |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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