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SPP24N60C3XKSA1  与  AOT27S60L  区别

型号 SPP24N60C3XKSA1 AOT27S60L
唯样编号 A-SPP24N60C3XKSA1 A-AOT27S60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
功率耗散(最大值) 240W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 160mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 8.8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 27A
Ciss(pF) - 1294
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 15.4A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 440
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 357W
Qrr(nC) - 7.5
VGS(th) - 4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1.2mA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 24.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
Coss(pF) - 80
Qg*(nC) - 26
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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