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SSM6J501NU  与  RF4C050APTR  区别

型号 SSM6J501NU RF4C050APTR
唯样编号 A-SSM6J501NU A-RF4C050APTR
制造商 Toshiba ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26mΩ@5A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
栅极电压Vgs - -8V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 UDFN6B 8-PowerUDFN
连续漏极电流Id - 10A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5500pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥7.9001
100+ :  ¥4.5663
1,500+ :  ¥2.895
3,000+ :  ¥2.0931
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SSM6J501NU Toshiba  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 当前型号
RF4C050APTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥7.9001 

阶梯数 价格
1: ¥7.9001
100: ¥4.5663
1,500: ¥2.895
3,000: ¥2.0931
100 对比
RF4C050APTR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerUDFN

暂无价格 100 对比

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