STB12NM50T4 与 SIHB15N50E-GE3 区别
| 型号 | STB12NM50T4 | SIHB15N50E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB12NM50T4 | A3t-SIHB15N50E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | - | 14.5A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 280 mOhms @ 7.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 156W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB12NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHB15N50E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.5A(Tc) N-Channel 280 mOhms @ 7.5A,10V 156W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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