STB13NM60N 与 IPB65R310CFD 区别
| 型号 | STB13NM60N | IPB65R310CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB13NM60N | A-IPB65R310CFD |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 9.25mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 280mΩ |
| 上升时间 | - | 7.5ns |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 104.2W |
| Qg-栅极电荷 | - | 41nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | - |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 11.4A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 7ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 11ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1100pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 400µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V |
| 高度 | - | 4.4mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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