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STB160N75F3  与  IPB80N06S2-H5  区别

型号 STB160N75F3 IPB80N06S2-H5
唯样编号 A-STB160N75F3 A-IPB80N06S2-H5
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263-3 PG-TO263-3-2
连续漏极电流Id - 80A
RthJC max - 0.5 K/W
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.2mΩ
QG (typ @10V) - 116.0 nC
Ptot max - 300.0W
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 55V
栅极电压Vgs - 2.1V,4V
Budgetary Price €€/1k - 0.96
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
210: ¥19.4944
400: ¥16.5207
800: ¥15.1566
0 对比
IPB100N06S205ATMA4 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N06S2-05_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB80N06S2-H5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N06S2H5ATMA2_PG-TO263-3-2

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