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STB60NF06LT4  与  IRF1010ES  区别

型号 STB60NF06LT4 IRF1010ES
唯样编号 A-STB60NF06LT4 A-IRF1010ES
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.35 mm -
正向跨导-最小值 20 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@30A,10V 12mΩ
上升时间 220 ns -
栅极电压Vgs ±15V 20V
封装/外壳 D2PAK D2PAK (TO-263)
工作温度 -65°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 60A 83A
配置 Single -
Ptot max - 170.0W
长度 10.4 mm -
QG - 86.6nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 30 ns -
高度 4.6 mm -
Budgetary Price €€/1k - 0.45
RthJC max - 0.9K/W
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
典型关闭延迟时间 55 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 29.3nC
Mounting - SMD
系列 STB -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 35 ns -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
210: ¥6.7795
400: ¥5.7453
800: ¥5.2709
0 对比
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