STB75NF75LT4 与 IRF2807STRLPBF 区别
| 型号 | STB75NF75LT4 | IRF2807STRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STB75NF75LT4 | A-IRF2807STRLPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | Single N-Channel 75 V 13 mOhm 160 nC 230 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 13mΩ@43A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 75V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 230W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 82A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3820pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 160nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3820pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 160nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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PSMN012-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 148W 175°C 3V 80V 74A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOB470L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 75V ±25V 100A 268W 10.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C |
￥2.9014
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0 | 对比 | ||||
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IRFZ44ZSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 80W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF2807STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13mΩ@43A,10V N-Channel 75V 82A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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PSMN8R7-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 170W 175°C 3V 80V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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