STD10LN80K5 与 R6006KND3TL1 区别
| 型号 | STD10LN80K5 | R6006KND3TL1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD10LN80K5 | A-R6006KND3TL1 |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | - | 6A(Tc) |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 70W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 栅极电荷Qg | - | 12nC@10V |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 830mOhms@3A,10V |
| 栅极电压Vgs | - | 5.5V@1mA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD10LN80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
R6006KND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 600V |
￥12.0355
|
2,392 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
R6006KND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||||||||
|
IPD65R650CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
R6006KND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 5.5V@1mA 70W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
