STD11N65M2 与 IPD65R650CE 区别
| 型号 | STD11N65M2 | IPD65R650CE |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD11N65M2 | A-IPD65R650CE |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 650mΩ |
| Moisture Level | - | 3 |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Rth | - | 2.0K/W |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK (TO-252) |
| Mounting | - | SMT |
| 连续漏极电流Id | - | 7A |
| Ptot max | - | 63.0W |
| QG | - | 23.0nC |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.45 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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