STD16NF25 与 IRFR13N20DTRLP 区别
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规格信息
型号	STD16NF25	IRFR13N20DTRLP
唯样编号	A-STD16NF25	A-IRFR13N20DTRLP
制造商	STMicroelectronics	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 250 V 0.235 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3
数据表	STD16NF25.pdf	IRFR13N20DTRLP.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	235mΩ@6.5A,10V	235mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds	250V	200V
Pd-功率耗散(Max)	100W(Tc)	110W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±30V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	DPAK	DPAK
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	14A	13A(Tc)
系列	STripFET™ II	-
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	25V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	680pF @ 25V	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	18nC @ 10V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	830pF
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	38nC
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
STD16NF25	STMicro	数据手册	功率MOSFET	±20V 100W(Tc) 235mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 250V 14A	暂无价格	当前型号
IRFR13N20DTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 235mΩ@8A,10V N-Channel 200V 13A D-Pak	暂无价格	对比
IRFR15N20DPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-Pak	暂无价格	对比
IRFR15N20DTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-PAK(TO-252AA)	暂无价格	对比
IRFR13N20DPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±30V 110W(Tc) 235mΩ@8A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 200V 13A D-Pak	暂无价格	对比
AOD458	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-252 N-Channel 250V 30V 14A 150W 280mΩ@10V	暂无价格	对比