STD20NF06LT4 与 RSD150N06TL 区别
| 型号 | STD20NF06LT4 | RSD150N06TL | ||||||
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| 唯样编号 | A-STD20NF06LT4 | A33-RSD150N06TL | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 930pF @ 10V | ||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 40 毫欧 @ 15A,10V | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 15A(Ta) | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 169 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
￥1.5581
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15,263 | 对比 | ||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥5.5674
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169 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR024NTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 55V 17A(Tc) ±16V 45W(Tc) 65mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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