STD20NF06LT4 与 ZXMN6A25KTC 区别
| 型号 | STD20NF06LT4 | ZXMN6A25KTC | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STD20NF06LT4 | A36-ZXMN6A25KTC-0 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | MOSFET | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 6.22 mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@3.6A,10V | ||||
| 上升时间 | - | 4 ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.11W(Ta) | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 26.2 ns | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 10.7A | ||||
| 系列 | - | ZXMN | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||
| 长度 | - | 6.73 mm | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1063pF @ 30V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20.4nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 10.6 ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 3.8 ns | ||||
| 高度 | - | 2.39 mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 23,043 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
|
439 | 对比 | ||||||||||||||
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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