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STD20NF20  与  IRL530NSTRRPBF  区别

型号 STD20NF20 IRL530NSTRRPBF
唯样编号 A-STD20NF20 A-IRL530NSTRRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Single N-Channel 100 V 3.8 W 34 nC Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.8W(Ta),79W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D2PAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD20NF20 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
PSMN130-200D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN130-200D_SOT428

¥18.4793 

阶梯数 价格
400: ¥18.4793
1,000: ¥13.6884
1,250: ¥10.694
2,500: ¥8.7656
0 对比
IRFR15N20DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比
IRL530NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFR13N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR4620TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

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