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STD30NF06LT4  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 STD30NF06LT4 IRFR5305TRPBF
唯样编号 A-STD30NF06LT4 A-IRFR5305TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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450: ¥9.8859
1,000: ¥7.3229
1,500: ¥6.0024
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阶梯数 价格
400: ¥7.8701
1,000: ¥5.8297
1,250: ¥4.5544
2,500: ¥3.7332
0 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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