首页 > 商品目录 > > > > STD30NF06LT4代替型号比较

STD30NF06LT4  与  IRFR5305TRPBF  区别

型号 STD30NF06LT4 IRFR5305TRPBF
唯样编号 A-STD30NF06LT4 A3-IRFR5305TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 65mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 4,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
13,000 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_6.5mm TO-252-3

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 4,000 对比
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
100: ¥1.342
1,250: ¥1.144
2,500: ¥0.968
3,541 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售